MJD122T4G транзистор
NPN-Darlington 0100V 08A000 1K...12K 4MHz DPak(TO-252) MJD122T4G STM
Виробник: STM
Код товару: Т0000011278
Маркування: J122G
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| > | R1=7kOhm R2=70 Ohm | ||
| Напруга Collector-Emitter | 100 | Vdc | @25*C |
| Напруга Collector-Base | 100 | Vdc | @25*C |
| Напруга Emitter-Base | 5 | Vdc | @25*C |
| Струм Collector max | 8 | A | @25*C |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 2 | Vdc | max @Ic=4Adc@Ib=16mAdc |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 4 | Vdc | max @Ic=8Adc@Ib=80mAdc |
| Зворотний струм pin Collector | 0,1 | mkAdc | @Vcb=100Vdc@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 0,1 | mkAdc | @Veb=7Vdc@Ic=0 |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 1000...12000 | @Ik=4Adc@Vc=4Vdc | |
| Гранична частота | 4 | MHz | min @Ic=3Adc@Vce=4Vdc@f=1MHz |
| Потужність розсіювання | 20 | W | @25*C |
| Коеф. температурного опору | 6,25 | *C/W | |
| Температура робоча | -65...+150 | *C | |
| Температура зберігання | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 75 | |
| шт | 1 |
Корпус
Dpak 10.10x6.60x2.20mm
