BSS123, 215 транзистор
0123 N-ch 0100V 0150mA SOT-23 BSS123, 215 NXP
Виробник: NXP
Код товару: Т0000010891
Маркування: SA
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Logic level FET transistor | ||
| Проводимость | N-channel | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=S 3=D | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 100 | V | @25*C |
| Струм DRAIN | 150 | mA | @25*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 600 | mA | @25*C |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 3 | Ohm | (6.0 Ohm max)@Id=120mA@Vgs=10 V |
| Напруга GATE-SOURCE | ±20 | V | @open drain |
| Потужність розсіювання | 250 | mW | @25*C |
| Час увімкнення | 10 | ns | @Id=200mA@Vdd=50V@Vgs=0...10V |
| Час вимкнення | 20 | ns | @Id=250mA@Vdd=50V@Vgs=0...10V |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 3 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
SOT-23 3.0x1.4(2.5)x1.1mm
