Виробник: TI
Код товару: Т0000019063
Маркування: ???
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | N-Channel NexFET Power MOSFETs | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 30 | V | |
| Напруга GATE-SOURCE | +10...-8 | V | |
| Струм DRAIN | 73 | A | @25*C |
| Струм DRAIN | 14 | A | @41*C/W@радиатор=6,45кв.см. |
| Струм DRAIN імпульсний | 92 | A | @25*C@Pulse duration<300ms@duty cycle <2% |
| Потужність розсіювання | 3 | W | @25*C |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 12,8 | mOhm | @Vgs=3V |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 9,7 | mOhm | @Vgs=4V5 |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 8,4 | mOhm | @Vgs=8V |
| Час увімкнення | 4,6 | ns | Vds=15V@Vgs=4V5@Ids=11A@Rg=2 Ohm |
| Час вимкнення | 9,3 | ns | Vds=15V@Vgs=4V5@Ids=11A@Rg=2 Ohm |
| Заряд GATE загальний | 4 | nC | @Vgs=4V5 |
| Заряд GATE-DRAIN | 1 | nC | |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 2 500 | |
| шт | 1 |