Виробник: TI
Код товару: Т0000019063
Маркування: ???
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Функціональне призначення | N-Channel NexFET Power MOSFETs | ||
Напруга SOURCE-DRAIN | 30 | V | |
Напруга GATE-SOURCE | +10...-8 | V | |
Струм DRAIN | 73 | A | @25*C |
Струм DRAIN | 14 | A | @41*C/W@радиатор=6,45кв.см. |
Струм DRAIN імпульсний | 92 | A | @25*C@Pulse duration<300ms@duty cycle <2% |
Потужність розсіювання | 3 | W | @25*C |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 12,8 | mOhm | @Vgs=3V |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 9,7 | mOhm | @Vgs=4V5 |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 8,4 | mOhm | @Vgs=8V |
Час увімкнення | 4,6 | ns | Vds=15V@Vgs=4V5@Ids=11A@Rg=2 Ohm |
Час вимкнення | 9,3 | ns | Vds=15V@Vgs=4V5@Ids=11A@Rg=2 Ohm |
Заряд GATE загальний | 4 | nC | @Vgs=4V5 |
Заряд GATE-DRAIN | 1 | nC | |
Температура робоча | -55...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 2 500 | |
шт | 1 |