SGW25N120 транзистор
IGBT 025A0 1200V TO-247AE SGW25N120 Infineon
Виробник: Infineon
Код товару: Т0000012265
Маркування: ???
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | Fast IGBT in NPT-technology | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=C 3=E | ||
| Напруга Collector-Emitter | 1 200 | V | |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 3,6 | V | max@25*C 4V3@150*C |
| Струм Collector max | 46 | A | @25*C |
| Струм Collector max | 25 | A | @100*C |
| Струм Collector імпульсний max | 84 | A | @ tp limited by Tjmax |
| Напруга GATE-Emitter | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 130 | mJ | @Ic=25A@Vcc=50V@Rge=25 Ohm@start at 25*C |
| Потужність розсіювання | 313 | W | @25*C |
| Час увімкнення | 60 | ns | @150*C@Vcc=800V@Ic=25A@Vge=15/0V2Rg=22R@180nH@40pF |
| Час вимкнення | 990 | ns | @150*C@Vcc=800V@Ic=25A@Vge=15/0V2Rg=22R@180nH@40pF |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
TO247AC 16.15x21.16+20.68x5.45mm ++5.45mm
