2SD2012 транзистор
2012 NPN 00A50 0020V 2-10R1A 2SD2012 TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Код товару: Т0000012606
Маркування: D2012
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функціональне призначення контактів | 1-B 2-C 3-E | ||
| Напруга Collector-Base | 60 | Vdc | @Ie=0 |
| Напруга Collector-Emitter | 60 | Vdc | @Ib=0 |
| Напруга Emitter-Base | 7 | Vdc | @Ic=0 |
| Струм Collector max | 3 | A | |
| Струм Base max | 0,5 | A | |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 1 | V | max@Ic=2A@Ib=200mA |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 100...320 | @Vce=5V@Ic=0A5 | |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 20... | @Vce=5V@Ic=2A0 | |
| Зворотний струм pin Collector | 100 | mkA | @Vcb=60V@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 100 | mkA | @Veb=7V@Ic=0 |
| частота робоча | 3 | MHz | Vce=5V@Ic=0.5A |
| Потужність розсіювання | 25 | W | @<=25*C на радиаторе |
| Ємність переходу Collector-Base | 35 | pF | @Vcb=10V@Ie=0@f=1MHz |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 1,7 |
Корпус
10.0x28.3x4.5mm
