2SB1330 транзистор
1330 PNP 000A70 0080V MRT* 2SB1330R HITACHI
Виробник: HITACHI
Код товару: Т0000014705
Маркування: B1330 R
Кількість приладів:
вільно
7
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | PNP | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=E 2=C 3=B | ||
| Напруга Collector-Base | -80 | Vdc | |
| Напруга Collector-Emitter | -80 | Vdc | |
| Напруга Emitter-Base | -5 | Vdc | |
| Струм Collector max | -700 | mA | |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 180...390 | Vce=−2V@Ic=−500mA | |
| Зворотний струм pin Collector | -0,5 | mkA | @Vcb=-50V@Ie=0V |
| Зворотний струм pin Emitter | -0,5 | mkA | @Veb=-4V@Ie=0V |
| Напруга Collector-Emitter насичення | -0,2 | Vdc | (-0.4Vmax)@Ic=-500mA@Ib=-50mA |
| Гранична частота | 100 | MHz | @Vce=-10V@Ic=-50mA@f=100MHz |
| Ємність переходу Collector-Base | 20 | pF | @Vcb=-10V@Ie=0mA@f=1MHz |
| Потужність розсіювання | 1,2 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
6.5x3.4x8.5+16.3mm +++2.5mm
