2SD1111 транзистор
1111 NPN-Darlington 000A70 0080V TO-92 2SD1111 SANYO
Виробник: SANYO
Код товару: Т0000016640
Маркування: ???
Кількість приладів:
вільно
16
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функціональне призначення контактів | 1-E 2-C 3-B | ||
| Напруга Collector-Base | 80 | V | |
| Напруга Collector-Emitter | 50 | V | |
| Напруга Emitter-Base | 10 | V | |
| Струм Collector max | 700 | mA | @25*C |
| Струм Collector імпульсний max | 2 000 | mA | @Pulse |
| Зворотний струм pin Collector | 0,1 | mkA | @Vcb=40V@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 0,1 | mkA | @Veb=8V@Ic=0 |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 5000... | @Vce=2V@Ic=50mA | |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 4000... | @Vce=2V@Ic=500mA | |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 0,8 | V | (1V2 max) @Ic=100mA@Ib=0.1mA |
| Напруга Base-Emitter насичення | 1,3 | V | (2V0 max) @Ic=100mA@Ib=0.1mA |
| Гранична частота | 200 | MHz | @Vce=5V@Ic=50mA |
| Ємність переходу Collector-Base | 10 | pF | @Vcb=10V@f=1MHz |
| Потужність розсіювання | 600 | mW | @<=25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
5.0x4.0x5.0+14.0mm ++1.27mm
