IPP110N20N3GXKSA1 транзистор
110N20 N-ch 088A0 0200V TO-220AB mark_110N20N IPP110N20N3GXKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
Код товару: Т0000016016
Маркування: 110N20N
Кількість приладів:
вільно
20
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 200 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 10,7 | mOhm | |
| Струм DRAIN | 88 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 63 | A | @100*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 352 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Потужність розсіювання | 300 | W | @25*C |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 10 | kV/mks | |
| Час увімкнення | 18 | ns | @Vdd=100V@Vgs=10V@Id=44A@Rg=1.6 Ohm |
| Час вимкнення | 41 | ns | @Vdd=100V@Vgs=10V@Id=44A@Rg=1.6 Ohm |
| Температура робоча | -55...+175 | *C | |
| > | IEC climatic category; DIN IEC 68-1 - 55/175/56 |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
TO220AB_IR AxBxh=10.54x15.24+14.09x4.69mm
