BC817DS,115 транзистор
0817DS NPN+NPN 0500mA 0045V SOT-457 mark_N3 BC817DS,115 NXP
Виробник: NXP
Код товару: Т0000017695
Маркування: N3
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN+NPN | ||
| Функціональне призначення контактів | NPN1 (1=E 2=B 6=C) NPN2(4=E 5=B 3=C) | ||
| Напруга Collector-Emitter | 45 | V | @25*C |
| Напруга Collector-Base | 50 | V | @25*C |
| Напруга Emitter-Base | 5 | V | @25*C |
| Струм Collector max | 500 | mA | @25*C |
| Струм Collector імпульсний max | 1 | A | |
| Струм Base max піковий | 200 | mA | |
| Зворотний струм pin Collector | 30 | nA | @Vcb=30V@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 100 | nA | @Veb=5V@Ic=0 |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 160...400 | @Ic=100mA@Vce=1V | |
| Гранична частота | 100 | MHz | @Ic=10mA@Vce=5V@f=100MHz |
| Потужність розсіювання | 370 | mW | @25*C |
| Ємність переходу Collector-Base | 5 | pF | @Vcb=10V@Ie=0@f=1MHz |
| Температура робоча | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 3 000 | |
| шт | 1 |
Аналоги
159НТ1 функциональный
Корпус
3.1x1.7(3.0)x1.1mm ++0.95mm
