BC807DS,115 транзистор
0807DS PNP+PNP 0500mA 0045V SOT-457 mark_N2 BC807DS,115 NXP
Виробник: NXP
Код товару: Т0000017694
Маркування: N2
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | PNP+PNP | ||
| Функціональне призначення контактів | PNP1 (1=E 2=B 6=C) PNP2(4=E 5=B 3=C) | ||
| Напруга Collector-Emitter | -45 | V | @25*C |
| Напруга Collector-Base | -50 | V | @25*C |
| Напруга Emitter-Base | -5 | V | @25*C |
| Струм Collector max | -500 | mA | @25*C |
| Струм Collector імпульсний max | -1 | A | |
| Струм Base max піковий | -200 | mA | |
| Зворотний струм pin Collector | -15 | nA | @Vcb=-30V@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 100 | nA | @Veb=-5V@Ic=0 |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 160...400 | @Ic=-100mA@Vce=-1V | |
| Гранична частота | 80 | MHz | min @Ic=-10mA@Vce=-5V@f=100MHz |
| Потужність розсіювання | 370 | mW | @25*C |
| Ємність переходу Collector-Base | 9 | pF | @Vcb=-10V@Ie=0@f=1MHz |
| Температура робоча | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 3 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
3.1x1.7(3.0)x1.1mm ++0.95mm
