Виробник: NXP
Код товару: Т0000010272
Маркування: BFG35
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функціональне призначення | 4 GHz wideband transistor | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=E 2=B 3=E 4=K | ||
| Напруга Collector-Base | 25 | V | @open emitter |
| Напруга Collector-Emitter | 18 | V | @open base |
| Напруга Emitter-Base | 2 | V | @open collector |
| Струм Collector max | 150 | mA | |
| Потужність розсіювання | 1 | W | @<135*C |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 25...70... | Ic=100mA@Vce=10V@T=25*C | |
| Гранична частота | 4 | GHz | Ic=100mA@Vce=10V@500MHz@25*C |
| Коефіцієнт шумів | 15 | dB | typ @Ic=100mA@Vce=10V@F=500MHz@T=25*C |
| Коефіцієнт шумів | 11 | dB | typ @Ic=100mA@Vce=10V@F=800MHz@T=25*C |
| Ємність переходу Collector-Base | 2 | pF | Ie=-0@Vce=10V@1MHz |
| Температура робоча | -65...+150 | *C |
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 1 000 | |
| шт | 1 |