Виробник: NXP
Код товару: Т0000017010
Маркування: ED
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Проводимость | NPN | ||
Функціональне призначення контактів | 1=E 2=C 3=B | ||
Напруга Collector-Base | -40 | V | |
Напруга Collector-Emitter | -30 | V | |
Напруга Emitter-Base | -10 | V | |
Струм Collector max | -500 | mA | @25*C |
Струм Collector імпульсний max | -1 000 | mA | (peak) |
Струм Base max | -100 | mA | (dc) |
Зворотний струм pin Collector | -100 | nA | @Ie=0@Vcb=-30V |
Зворотний струм pin Emitter | -100 | nA | @Veb=-10Vdc@Ic=0 |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 4000... | @Vce=-5V@Ic=-1mA | |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 10000... | @Vce=-5V@Ic=-10mA | |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 20000... | @Vce=-5V@Ic=-100mA | |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 4000... | @Vce=-5V@Ic=-500mA | |
Напруга Collector-Emitter насичення | -1 | V | @Ic=-100mA@Ib=-0.1mA |
Напруга Base-Emitter насичення | -1,5 | V | @Ic=-100mA@Ib=-0.1mA |
Гранична частота | 220 | MHz | typ @Ic=-30mA@Vce=-5V@f=100MHz |
Потужність розсіювання | 1,3 | W | @25*C |
Температура робоча | -65...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 1 000 | |
шт | 1 |