MJE253G транзистор
0253 PNP 04A00 0100V TO-126 MJE253G ON Semi
Виробник: ON Semi
Код товару: Т0000004002
Маркування: JE253G
Кількість приладів:
вільно
208
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | PNP | ||
| Напруга Collector-Emitter | -100 | Vdc | @25*C |
| Напруга Collector-Base | -100 | Vdc | @25*C |
| Напруга Emitter-Base | -7 | Vdc | @25*C |
| Струм Collector max | -4 | A | @25*C |
| Зворотний струм pin Collector | 0,1 | mkAdc | @Vcb=-100Vdc@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 0,1 | mkAdc | @Veb=-7Vdc@Ic=0 |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 40...180 | @I=-200mAdc@Vc=-1Vdc | |
| Гранична частота | 40 | MHz | @Ic=-100mAdc@Vce=-10Vdc |
| Потужність розсіювання | 15 | W | @25*C |
| Коеф. температурного опору | 8,34 | *C/W | |
| Ємність переходу Collector-Base | 50 | pF | @Vcb=-10V@Ie=0A@f=100kHz |
| Температура робоча | -65...+150 | *C | |
| Температура зберігання | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Аналоги
КТ816А
КТ816Б
КТ816В
КТ816Г
Корпус
TO-126_ON AxBxh 7.74x11.04+16.63x2.66mm
