PHN210T транзистор
0210 N+N-ch 003A4 0030V SO-08 PHN210T NXP

Виробник: NXP

Код товару: Т0000012195

Маркування: PHN210T

Кількість приладів:

вільно

98

очікується

0

резерв

0

замовлено

Параметри

Найменування	Значення	Одиниці вимірювання	Режим вимірювання
Проводимость	N+N-канал HEXFET
Функціональне призначення контактів	1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-6=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN	30	V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані	0,1	Ohm	@Vgs=10V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані	0,2	Ohm	@Vgs=4V5
Струм DRAIN	3,4	A	@25*C@Vgs=10V
Струм DRAIN	2,8	A	@70*C@Vgs=10V
Струм DRAIN імпульсний	14	A
Напруга GATE-DRAIN	±20	V
Потужність розсіювання	2	W	@25*C
Час увімкнення	6	ns	@Vdd=20V@Rd=18 Ohm@Vgs=10V@Rg=6 Ohm
Час вимкнення	21	ns	@Vdd=20V@Rd=18 Ohm@Vgs=10V@Rg=6 Ohm
Енергія імпульсу комутована	13	mJ	@Ias=3A4@tp=0.2ms@Vdd<15V@Vgs=10V@Rg=6 Ohm
Температура робоча	-55...+150	*C

Одиниці вимірювання

Найменування	K	Вага, г
min кратність пакування	1
упаковка (шт)	1 000
шт	1

Категорії

Корпус

5.0x4.0(6.2)x1.75mm ++1.27mm

Схема підключення

↑