IRLD120PBF транзистор
0120-NEXDIP IRLD120PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000010423
Маркування: D120
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| > | Logic-Level Gate Drive | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=D 2=S 3=G | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 100 | Vdc | @25*C |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,27 | OHm | @25*C |
| Струм DRAIN | 1,3 | A | @25*C@Vgs=5V0 |
| Струм DRAIN | 0,94 | A | @100*C@Vgs=5V0 |
| Струм DRAIN імпульсний | 10 | A | |
| Напруга GATE-SOURCE | ±10 | Vdc | |
| Потужність розсіювання | 1,3 | W | @25*C |
| Енергія імпульсу комутована | 690 | mJ | |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 5,5 | V/ns | |
| Час увімкнення | 9,8 | ns | @Vdd=50V@Id=9A2@Rg=9.0 OHm |
| Час вимкнення | 21 | ns | @Vdd=50V@Id=9A2@Rg=9.0 OHm |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
6.29x5.02x4.57+4.06mm
