APT33GF120LRDQ2G транзистор
N-ch IGBT 1200V 064A TO-264 APT33GF120LRDQ2G Microsemi
Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000025821
Маркування: APT33GF120LRDQ2G
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | Fast IGBT | ||
| Напруга Collector-Emitter | 1 200 | V | |
| Напруга GATE-Emitter | ±30 | V | |
| Струм Collector max | 64 | A | @25*C |
| Струм Collector max | 30 | A | @100*C |
| Струм Collector імпульсний max | 75 | A | @25*C |
| Потужність розсіювання | 357 | W | @25*C |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | 2.0...2.5...3.0 | V | @Vge15V@Ic=25A@+25*C |
| Час увімкнення | 14 | ns | @Vcc=800V@Vge=15V@Ic=25A@Rg=4R3@+25*C |
| Час вимкнення | 185 | ns | @Vcc=800V@Vge=15V@Ic=25A@Rg=4R3@+25*C |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 5,9 |
Корпус
20.5x26.5+19.5x5.3mm
