FLL200IB-3 транзистор
0200IB-3 N-ch 015V 12A00 FLL200IB-3 SUMITOMO El
Виробник: SUMITOMO El
Код товару: Т0000024396
Маркування: MRF151G
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | RF Power Field-Effect Transistor | ||
| > | N-Channel Broadband MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=D 2=D 3=G 4=G 5=S | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 125 | Vdc | @25*C |
| Напруга GATE-DRAIN | 125 | Vdc | @25*C |
| Напруга GATE-SOURCE | ±40 | Vdc | @25*C |
| Струм DRAIN | 40 | A | @25*C |
| Струм DRAIN | ...5 | mA | @Vds=50V@Vgs=0 |
| Струм GATE-DRAIN | ...1 | mkA | @Vds=0V@Vgs=20 |
| Гранична частота | 175 | MHz | |
| Коефіцієнт шумів | 12 | dB | @175MHz (Gain) |
| Коефіцієнт шумів | 18 | dB | @30MHz (Gain) |
| Потужність розсіювання | 300 | W | @25*C |
| Температура робоча | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
21.00x12.90x5.20 mm
