SIHG20N50C-E3 транзистор
N-ch 020A0 0500V TO-247 SIHG20N50C-E3 Vishay
Виробник: Vishay
Код товару: Т0000024264
Маркування: SIHG20N50C
Кількість приладів:
вільно
60
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 500 | V | @Vgs=0 (max 560V) |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | max |
| Струм DRAIN | 20 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 11 | A | @100*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 80 | A | @100*C@Vgs=10V |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,27 | Ohm | max @Vgs=10V type=0R225 |
| Енергія імпульсу комутована | 361 | mJ | @Vdd=50V, starting +25*C@L=2.5mH@Rg=25R@Ias=17A |
| Час увімкнення | ...80... | ns | @Vdd=250V@Id=18A@Rg=9R1 |
| Час вимкнення | ...32... | ns | @Vdd=250V@Id=18A@Rg=9R1 |
| Потужність розсіювання | 250 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 30 | |
| шт | 1 |
Аналоги
IRFP460
Корпус
15.87x20.82+16.25x5.31mm +++5.46mm
