IRF1405PBF транзистор
1405 N-ch 169A0 0055V TO-220AB IRF1405PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000024260
Маркування: IRF1405
Кількість приладів:
вільно
50
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | HEXFET Power MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 55 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 4,6 | mOhm | typ (5.3 mOhm max) @Vgs=10V@Id=101A |
| Струм DRAIN | 169 | A | @25*C@Vgs=10V@Silicon Limited |
| Струм DRAIN | 118 | A | @100*C@Vgs=10V@Silicon Limited |
| Струм DRAIN імпульсний | 680 | A | |
| > | Calculated continuous current based on maximum | ||
| > | allowable junction temperature. | ||
| > | Package limitation current is 75A | ||
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 560 | mJ | Single Pulse Avalanche Energy |
| Потужність розсіювання | 230 | W | @25*C |
| Час увімкнення | 13 | ns | type @Vdd=38V@Id=101A@Rg=1R1@Vgs=10V |
| Час вимкнення | 130 | ns | type @Vdd=38V@Id=101A@Rg=1R1@Vgs=10V |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Аналоги
CS150N04
Корпус
TO220AB_IR AxBxh=10.54x15.24+14.09x4.69mm
