IXGH40N120C3D1 транзистор
40N120 IGBT 075A000 1200V PG-TO-247-3 IXGH40N120C3D1 IXYS
Виробник: IXYS
Код товару: Т0000023835
Маркування: GH40N120C3
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | GenX3 IGBT транзистор | ||
| Напруга Collector-Emitter | 1 200 | V | |
| Напруга GATE-Emitter | ±20 | V | Continuous |
| Струм Collector max | 40 | A | @+110*C |
| Струм Collector max | 75 | A | @+25*C (limited by leads) |
| Струм Collector імпульсний max | 200 | A | @1ms |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 4,4 | V | max @Ic= 30A@Vge=15V |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 2,7 | V | typ @Ic= 30A@Vge=15V@+125*C |
| Напруга порогова включення IGBT транзистора | 3...5 | V | @Ic=250mkA@Vce=Vge |
| Час увімкнення | 17 | ns | @Ic=30A@Vge=15V@Vce=600V@Rg=3 Ohm@+25*C |
| Час вимкнення | 130 | ns | @Ic=30A@Vge=15V@Vce=600V@Rg=3 Ohm@+25*C |
| Потужність розсіювання | 380 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 6 |
Корпус
16.26x21.46+20.32x5.30mm ++5.46mm
