SPP20N60C3 транзистор
N-ch 020A0 650V-TO-220AB SPP20N60C3 Infineon
Виробник: Infineon
Код товару: Т0000022962
Маркування: 20N60C3
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Cool MOS Power MOSFET | ||
| Проводимость | N-канал | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S | ||
| Струм DRAIN | 20,7 | A | @25*C Limited only by maximum temperature allowed |
| Струм DRAIN | 13,1 | A | @100*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 62,1 | A | @25*C |
| Напруга SOURCE-DRAIN | 650 | V | @Vgs=0 |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,19 | Ohm | max |
| Напруга GATE-SOURCE | ±20 | V | Gate source voltage static |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | AC >1Hz |
| Енергія імпульсу комутована | 690 | mJ | @Id=10A@Vdd=50V |
| Енергія циклічно комутована | 1 | mJ | @Id=20A@Vdd=50V |
| Час увімкнення | 10 | ns | typ @Vdd=300V@Id=20A7@Rg=3R6@Vgs=0/13V |
| Час вимкнення | 100 | ns | max @Vdd=300V@Id=20A7@Rg=3R6@Vgs=0/13V |
| Потужність розсіювання | 208 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Корпус
10.6x4.8x16.0+13.7mm ++2.54mm
