IRLR3110ZPBF транзистор
3110 N-ch 063A0 0100V DPak IRLR3410ZPBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000022903
Маркування: R3110
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| > | Logic Level Gate Drive | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S 4=D | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 100 | Vdc | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 14 | mOHm | @Vgs=10V@Id=38A |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 16 | mOHm | @Vgs=4V0@Id=32A |
| Струм DRAIN | 63 | A | @25*C (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 45 | A | @100*C (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN імпульсний | 250 | A | |
| Напруга GATE-SOURCE | ±16 | Vdc | |
| Потужність розсіювання | 140 | W | @25*C |
| Енергія імпульсу комутована | 140 | mJ | |
| Час увімкнення | 24 | ns | typ @Vdd=50VId=38A@Rg=3R7@Vgs=4V5 |
| Час вимкнення | 33 | ns | typ @Vdd=50VId=38A@Rg=3R7@Vgs=4V5 |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
6.73x6.22(10.42)x2.38mm
