IRFIBF30GPBF транзистор
IBF30 N-ch 001A9 0900V TO-220FP IRFIBF30GPBF Vishay
Виробник: Vishay
Код товару: Т0000022867
Маркування: IRFIBF30G
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 900 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 3,7 | Ohm | max @Vgs=10V@Id=1A1 |
| Струм DRAIN | 1,9 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 1,2 | A | @100*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 7,6 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 220 | mJ | |
| Струм лавинний (Avalanche Current) | 1,9 | A | |
| Потужність розсіювання | 35 | W | @25*C |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 1,5 | V/ns | |
| Час увімкнення | 14 | ns | Vdd=450V@Id=3A6@Rg=12R@Rd=120R |
| Час вимкнення | 90 | ns | Vdd=450V@Id=3A6@Rg=12R@Rd=120R |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Корпус
ITO-220AB 10.27x15.5+14.22x4.77mm
