Виробник: Central Semi. Corp
Код товару: Т0000022103
Маркування: C3Z
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Проводимость | NPN | ||
Функціональне призначення | high-voltage transistor | ||
Функціональне призначення контактів | 1=B 2=E 3=K | ||
Напруга Collector-Emitter | 400 | Vdc | @25*C |
Напруга Collector-Base | 400 | Vdc | @25*C |
Напруга Emitter-Base | 6 | Vdc | @25*C |
Струм Collector max | 300 | mA | @25*C |
Зворотний струм pin Collector | 100 | nAdc | @Vcb=400V |
Зворотний струм pin Emitter | 100 | nAdc | @Veb=4Vdc |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 50...250 | @25*C @Vce=10V@Ic=10mA | |
Напруга Collector-Emitter насичення | 0,4 | Vdc | @Ic=1mA@Ib=0.1mA |
Напруга Collector-Emitter насичення | 0,5 | Vdc | @Ic=10mA@Ib=1mA |
Напруга Collector-Emitter насичення | 0,75 | Vdc | @Ic=50mA@Ib=5mA |
Напруга Base-Emitter насичення | 0,75 | Vdc | @Ic=10mA@Ib=1mA |
Гранична частота | 20 | MHz | @Vce=10V@Ic=10mA@f=10MHz |
Ємність переходу Collector-Base | 7 | pF | @Vcb=20V@Ie=0@f=1MHz |
Потужність розсіювання | 350 | mW | @25*C |
Температура робоча | -65...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 3 000 | |
шт | 1 |