Виробник: Al & Om Semi
Код товару: Т0000021449
Маркування: D609
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Функціональне призначення | N-ch. P-ch. Complementary Enhancement Mode Field | ||
> | Effect Transistor | ||
Напруга SOURCE-DRAIN | 40 | V | @25*C |
Напруга GATE-SOURCE | ±20 | V | @Id=1mA@Vgs=Vds |
Струм DRAIN | 12 | A | @25*C N-ch |
Струм DRAIN | 12 | A | @100*C N-ch |
Струм DRAIN імпульсний | 30 | A | @25*C N-ch |
Струм DRAIN | -12 | A | @25*C P-ch |
Струм DRAIN | -12 | A | @100*C P-ch |
Струм DRAIN імпульсний | -30 | A | @25*C P-ch |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 24 | mOhm | @Id=12A@Vgs=10V@+25*C |
Струм лавинний (Avalanche Current) | 14 | A | N-ch |
Струм лавинний (Avalanche Current) | -20 | A | P-ch |
Енергія циклічно комутована | 9,8 | mJ | N-ch |
Енергія циклічно комутована | 20 | mJ | P-ch |
Час увімкнення | 6,4 | ns | typ @Vgs=10V@Vds=20V@RL=1R4@Rgen=3R |
Час вимкнення | 16,2 | ns | typ @Vgs=10V@Vds=20V@RL=1R4@Rgen=3R |
Потужність розсіювання | 27 | W | @25*C |
Температура робоча | -55...+175 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 1 | |
шт | 1 |