Виробник: STM
Код товару: Т0000021241
Маркування: 20H065CW
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Функціональне призначення | power Schottky silicon carbide diode | ||
Напруга зворотна пікова max | 650 | V | |
Напруга зворотна RMS max | 100 | Vac | |
Напруга зворотна постійна max | 100 | V | |
Струм max прямий допустимий | 10 | A | @135*C, DC, per diode |
Струм max прямий допустимий | 20 | A | @125*C per device |
Струм max PEAK прямий допустимий одиночний імпульс | 90 | A | @tp=10ms sinusoidal @+25*C |
Струм max PEAK прямий допустимий одиночний імпульс | 80 | A | @tp=10ms sinusoidal @+125*C |
Струм max PEAK прямий допустимий одиночний імпульс | 470 | A | @tp=10mks, square, @+25*C |
Струм max PEAK прямий допустимий повторюваний | 36 | A | @+135*C @Tj=+175*C @Q=0.1 |
Напруга пряма (Forward voltage) | 1,75 | V | max @If=10A@+25*C |
Напруга пряма (Forward voltage) | 2,5 | V | max @If=10A@+150*C |
Струм витоку | 100 | mkA | max @650V@+25*C |
Струм витоку | 425 | mkA | max @650V@+150*C |
Ємність PN-переходу | 480 | pF | @Vr=0V@+25*C@F=1MHz |
Ємність PN-переходу | 48 | pF | @Vr=400V@+25*C@F=1MHz |
Температура робоча | -40...+175 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 50 | |
шт | 1 |