IRF5850PBF транзистор
5850 P+P-ch 002A2 0020V TSOP-06 IRF5850PBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000021045

Маркування: C xx xx

Кількість приладів:

вільно

0

очікується

0

резерв

0

замовлено

Параметри

Найменування	Значення	Одиниці вимірювання	Режим вимірювання
Проводимость	P+P-канал HEXFET
Функціональне призначення контактів	1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-6=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN	-20	V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані	0,135	Ohm	Vgs=-4v5@Id=-2A2
Струм DRAIN	-2,2	A	@25*C@10sec
Струм DRAIN	-1,8	A	@70*C@10sec
Струм DRAIN імпульсний	-9	A
Напруга GATE-DRAIN	±12	V
Заряд GATE загальний	5,4	nQ	max @Vdd=-10V@Id=-2A2@@Vgs=-4V5
Заряд GATE-SOURCE	0,66	nQ	typ @Vdd=-10V@Id=-2A2@@Vgs=-4V5
Заряд GATE-DRAIN	0,83	nQ	typ @Vdd=-10V@Id=-2A2@@Vgs=-4V5
Потужність розсіювання	0,96	W	@25*C
Потужність розсіювання	0,62	W	@70*C
Час увімкнення	8,3	ns	@Vdd=-10V@Id=-1A@@Vgs=-4V5@Rg=6R
Час вимкнення	31	ns	@Vdd=-10V@Id=-1A@@Vgs=-4V5@Rg=6R
Температура робоча	-55...+150	*C

Одиниці вимірювання

Найменування	K	Вага, г
min кратність пакування	1
упаковка (шт)	2 500
шт	1

Категорії

Корпус

3.1x1.7x1.1mm ++1.0mm

Схема підключення

↑