IRF7495PBF транзистор
7495 N-ch 007A3 0100V SO-08 IRF7495PBF Infineon

Виробник: Infineon

Код товару: Т0000021037

Маркування: F7495

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N-канал MOSFET
Функціональне призначення контактів 1-3=S 4=G 3=S2 5-8=D
Напруга SOURCE-DRAIN 100 V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 22 mOhm @Vgs=10V@Id=4A4
Струм DRAIN 7,3 A @25*C@Vgs=10V
Струм DRAIN 4,6 A @70*C@Vgs=10V
Струм DRAIN імпульсний 58 A
Напруга GATE-DRAIN ±20 V
Потужність розсіювання 2,5 W @25*C
Потужність розсіювання 1,6 W @70*C
Заряд GATE загальний 34 nC (typ) 51nC(max)@Id=4A4@Vds=50V@Vgs=10V
Заряд GATE-SOURCE 6,3 nC @Id=4A4@Vds=50V@Vgs=10V
Заряд GATE-DRAIN 11,7 nC @Id=4A4@Vds=50V@Vgs=10V
Час увімкнення 8,7 ns @Vdd=50V@Idd=4A4@Vgs=10V@Rg=6.2 Ohm
Час вимкнення 10 ns @Vdd=50V@Idd=4A4@Vgs=10V@Rg=6.2 Ohm
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1

Корпус

SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm