APT8075BVRG транзистор
N-ch MOSFET 0800V 012A TO-247AE APT8075BVRG Microsemi
Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000020841
Маркування: APT8075BVR
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | Power MOS V high voltage N-Ch MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 800 | V | |
| Струм DRAIN | 12 | A | @25*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 48 | A | pulse |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | |
| Потужність розсіювання | 260 | W | @25*C |
| Струм лавинний (Avalanche Current) | 12 | A | |
| Енергія циклічно комутована | 30 | mJ | |
| Енергія імпульсу комутована | 960 | mJ | @+25*C@0L=13.33mH@Rg=25 R@ILpeak=12A |
| Час увімкнення | 12 | ns | typ 24 ns(max)@Vgs=+15V@Vdd=400V@Id=12A@Rg=1.6 Ohm |
| Час вимкнення | 45 | ns | typ 70 (max)@Vgs=+15V@Vdd=400V@Id=12A@Rg=1.6 Ohm |
| Заряд GATE загальний | 130 | nC | typ 195nC(max)@Vgs=10V@Vdd=400V@Id=12A |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 5,9 |
Корпус
16.26x5.31x21.46+20.32mm ++5.45mm
