IRF7319PBF транзистор
7319 N+P-ch 006A5 -004A9 0030V SO-08 IRF7319PBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000020653

Маркування: F7319

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N+P-канал MOSFET
Функціональне призначення контактів 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-9=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN 30 V (N-ch)
Напруга SOURCE-DRAIN -30 V (P-ch)
Напруга GATE-DRAIN ±20 V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 29 mOhm (N-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 58 mOhm (P-ch)
Струм DRAIN 6,5 A @25*C@Vgs=10V (N-ch)
Струм DRAIN 5,2 A @70*C@Vgs=10V (N-ch)
Струм DRAIN імпульсний 30 A
Струм DRAIN -4,9 A @25*C@Vgs=10V (P-ch)
Струм DRAIN -3,9 A @70*C@Vgs=10V (P-ch)
Струм DRAIN імпульсний -30 A
Напруга (збільшення) на захисному діоді 5 V (N-ch)
Напруга (збільшення) на захисному діоді -5 V (P-ch)
Потужність розсіювання 2 W @25*C
Час увімкнення 12 ns max N-Ch @Vdd=15V@Id=1A02Rg=6E@Rd=15E
Час увімкнення 19 ns max P-Ch @Vdd=-15V@Id=-1A02Rg=6E@Rd=15E
Час вимкнення 39 ns max N-Ch @Vdd=15V@Id=1A02Rg=6E@Rd=15E
Час вимкнення 51 ns max P-Ch @Vdd=-15V@Id=-1A02Rg=6E@Rd=15E
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1 000
шт 1

Корпус

SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm