Виробник: IR
Код товару: Т0000020190
Маркування: IRFU024
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Проводимость | N-канал | ||
> | NEXFET Power MOSFET | ||
Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S 4=D | ||
Напруга SOURCE-DRAIN | 60 | Vdc | @25*C |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,1 | Ohm | @Vgs=10V@Id=8A4@25*C |
Струм DRAIN | 14 | A | @Vgs=10V@25*C |
Струм DRAIN | 9 | A | @Vgs=10V@100*C |
Струм DRAIN імпульсний | 56 | A | |
Напруга GATE-SOURCE | ±20 | Vdc | |
Потужність розсіювання | 42 | W | @25*C |
Енергія імпульсу комутована | 91 | mJ | |
Крутизна (Forward Transconductance) | 6,2 | min @Vds=25V@Id=8A4 | |
Напруга (збільшення) на захисному діоді | 5,5 | V/ns | |
Час увімкнення | 13 | ns | @Vd=30V@Id=17A@Rg=18 Ohm@Rd=1.7 Ohm |
Час вимкнення | 25 | ns | @Vd=30V@Id=17A@Rg=18 Ohm@Rd=1.7 Ohm |
Температура робоча | -55...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 1 | |
шт | 1 |