Виробник: Infineon
Код товару: Т0000020117
Маркування: UIRF2804
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал | ||
| Функціональне призначення | HEXFET Power MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 40 | Vdc | @25*C |
| Струм DRAIN | 320 | A | @25*C@Vgs=10V (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 230 | A | @100*C@Vgs=10V (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 240 | A | @25*C@Vgs=10V (Package Limited) |
| Струм DRAIN імпульсний | 1 360 | A | * |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 1,6 | mOhm | max @25*C@Vgs=10V@Id=160A |
| Крутизна (Forward Transconductance) | 220... | S | @Vgs=10V@Id=160A |
| Напруга GATE-SOURCE | ±20 | Vdc | |
| Потужність розсіювання | 330 | W | @25*C |
| Час увімкнення | 17 | ns | @Vdd=20V@Id=160A@Rg=2R6@Vgs=10V |
| Час вимкнення | 110 | ns | @Vdd=20V@Id=160A@Rg=2R6@Vgs=10V |
| Енергія імпульсу комутована | 630 | mJ | Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) |
| Енергія імпульсу комутована | 1 050 | mJ | Single Pulse Avalanche Energy Tested Value |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |