IRF7507TRPBF транзистор
7507 N+P-ch 002A4 -001A7 0020V Micro8 IRF7507TRPBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000019087

Маркування: 7507

Кількість приладів:
вільно
16
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N+P-канал HEXFET
Функціональне призначення контактів 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-9=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN 20 V (N-ch)
Напруга SOURCE-DRAIN -20 V (P-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 0,135 Ohm (N-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 0,27 Ohm (P-ch)
Струм DRAIN 2,4 A @25*C@Vgs=10V(N-ch)
Струм DRAIN 1,9 A @70*C@Vgs=10V(N-ch)
Струм DRAIN -1,7 A @25*C@Vgs=10V(P-ch)
Струм DRAIN -1,4 A @70*C@Vgs=10V(P-ch)
Струм DRAIN імпульсний 19 A (N-ch)
Струм DRAIN імпульсний -14 A (P-ch)
Напруга GATE-DRAIN ±12 V
Напруга (збільшення) на захисному діоді 5 V/ns (N-ch) -5.0V/ns (P-ch)
Час увімкнення 5,7 ns (N-ch) @Vdd=10V@Id=1A7@Rg=6R@Rd=5R7
Час увімкнення 9,1 ns (P-ch) @Vdd=-10V@Id=-1A2@Rg=6R@Rd=8R3
Час вимкнення 15 ns (N-ch) @Vdd=10V@Id=1A7@Rg=6R@Rd=5R7
Час вимкнення 38 ns (P-ch) @Vdd=-10V@Id=-1A2@Rg=6R@Rd=8R3
Потужність 1,25 W @25*C (0W8@70*C)
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1 000
шт 1

Корпус

3.05x3.05(5.03)x1.11mm ++0.65mm