IRF7317PBF транзистор
7317 N+P-ch 006A6 -005A3 0020V SO-08 IRF7317PBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000019086

Маркування: F7317

Кількість приладів:

вільно

очікується

резерв

замовлено

Найменування	Значення	Одиниці вимірювання	Режим вимірювання
Проводимость	N+P-канал HEXFET
Функціональне призначення контактів	1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-9=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN	20	V	(N-ch)
Напруга SOURCE-DRAIN	-20	V	(P-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані	0,029	Ohm	(N-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані	0,058	Ohm	(P-ch)
Струм DRAIN	6,6	A	@25*C(N-ch)
Струм DRAIN	5,3	A	@70*C(N-ch)
Струм DRAIN імпульсний	26	A
Струм DRAIN	-5,3	A	@25*C(P-ch)
Струм DRAIN	-4,3	A	@70*C(P-ch)
Струм DRAIN імпульсний	-21	A
Напруга GATE-DRAIN	±12	V
Напруга (збільшення) на захисному діоді	5	V	(N-ch)
Напруга (збільшення) на захисному діоді	-5	V	(P-ch)
Енергія імпульсу комутована	100	mJ	(N-ch)
Енергія імпульсу комутована	150	mJ	(P-ch)
Енергія циклічно комутована	0,2	mJ	(N-ch)@(P-ch)
Час увімкнення	12	ns	max @Vdd=10V@Id=1A@Rg=6R@Rd=10R (N-ch)
Час увімкнення	22	ns	max @Vdd=-10V@Id=-2A9@Rg=6R@Rd=3R4 (P-ch)
Час вимкнення	57	ns	max @Vdd=10V@Id=1A@Rg=6R@Rd=10R (N-ch)
Час вимкнення	63	ns	max @Vdd=-10V@Id=-2A9@Rg=6R@Rd=3R4 (P-ch)
Потужність розсіювання	2	W	@25*C
Температура робоча	-55...+150	*C

SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm