Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000019070
Маркування: ???
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Функціональне призначення | Power MOSFETS | ||
Проводимость | N-Channel | ||
Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S 4=D | ||
Напруга SOURCE-DRAIN | 1200 | V | min @Vgs=0V@Id=250mkA |
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 4,7 | Ohm | Vgs=10V@Id=1A75 |
Струм DRAIN | 3,5 | A | @25*C |
Струм DRAIN імпульсний | 14 | A | @25*C |
Напруга GATE-Emitter | ±30 | V | |
Напруга порогова включення транзистора | 3.0...5.0 | V | @Vds=Vgs@Id=1mA |
Енергія циклічно комутована | 10 | mJ | |
Струм лавинний (Avalanche Current) | 3,5 | A | @25*C |
Енергія імпульсу комутована | 425 | mJ | @25*C |
Заряд GATE загальний | 50 | nC | max @Vgs=10V@Vdd=600V@Id=3A5@+25*C |
Заряд GATE-SOURCE | 5 | nC | max @Vgs=10V@Vdd=600V@Id=3A5@+25*C |
Заряд GATE-DRAIN | 40 | nC | max @Vgs=10V@Vdd=600V@Id=3A5@+25*C |
Час увімкнення | 14 | ns | max @Vgs=15V@Vdd=600V@Id=3A5@+25*C@Rg=1R6 |
Час вимкнення | 30 | ns | max @Vgs=15V@Vdd=600V@Id=3A5@+25*C@Rg=1R6 |
Потужність розсіювання | 135 | W | @25*C |
Температура робоча | -55...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 1 | |
упаковка (шт) | 1 | |
шт | 1 | 5,9 |