MMBT2222ALT1G транзистор
2222 NPN 040V 0A600 SOT-23 MMBT2222ALT1G ON Semi
Виробник: ON Semi
Код товару: Т0000018920
Маркування: 1P
Кількість приладів:
вільно
2185
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=B 2=E 3=C | ||
| Напруга Collector-Emitter | 40 | Vdc | @25*C |
| Напруга Collector-Base | 75 | Vdc | @25*C |
| Напруга Emitter-Base | 6 | Vdc | @25*C |
| Струм Collector max | 600 | mA | @25*C |
| Струм Collector імпульсний max | 1 100 | mA | @25*C |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 100...300 | @Ic=150mA@Vce=10V@Pulse Width<300mks Duty Cycle 2% | |
| Зворотний струм pin Collector | 0,01 | mkAdc | @Vcb=60Vdc@Ie=0 |
| Зворотний струм pin Emitter | 100 | nAdc | @Veb=3Vdc@Ic=0 |
| Гранична частота | 300 | MHz | Ic=20mA@Vce=20V@f=100 MHz |
| Потужність розсіювання | 300 | mW | @25*C |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 0,3 | Vdc | @Ic=150mA@Ib=15mA |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 1 | Vdc | @Ic=500mA@Ib=50mA |
| Напруга Collector-Emitter насичення | 0,6 | Vdc | (1V2max)@Ic=150mA@Ib=15mA |
| Напруга Base-Emitter насичення | 2 | Vdc | @Ic=500mA@Ib=50mA |
| Ємність переходу Collector-Base | 8 | pF | @Vcb=10V@Ie=0@f=1MHz |
| Коефіцієнт шумів | 4 | dB | @Ic=100mkA@Vce=10V@Rs=1kOhm@1kHz |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 3 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
SOT-23 3.04x1.4(2.64)x1.11mm
