IRF7389PBF транзистор
7389 N+P-ch 007A3 -005A3 0030V SO-08 IRF7389PBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000018729

Маркування: F7389

Кількість приладів:
вільно
4
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N+P-канал MOSFET
Функціональне призначення контактів 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-9=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN 30 V (N-ch)
Напруга SOURCE-DRAIN -30 V (P-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 0,029 Ohm (N-ch)
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 0,058 Ohm (P-ch)
Струм DRAIN 7,3 A @25*C@Vgs=10V (N-ch)
Струм DRAIN 5,9 A @70*C@Vgs=10V (N-ch)
Струм DRAIN імпульсний 30 A
Струм DRAIN -5,3 A @25*C@Vgs=10V (P-ch)
Струм DRAIN -4,2 A @70*C@Vgs=10V (P-ch)
Струм DRAIN імпульсний -30 A
Напруга GATE-DRAIN ±20 V
Напруга (збільшення) на захисному діоді 3,8 V (N-ch)
Напруга (збільшення) на захисному діоді -2,2 V (P-ch)
Потужність розсіювання 1,4 W @25*C
Енергія імпульсу комутована 82 mJ (N-ch)
Енергія імпульсу комутована 140 mJ (P-ch)
Струм лавинний (Avalanche Current) -2,8 A (P-ch)
Струм лавинний (Avalanche Current) 4 A (N-ch)
Енергія циклічно комутована 0,2 mJ (N-ch) (P-ch)
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1 000
шт 1

Корпус

SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm