IRG4PF50WPBF транзистор
PF50W IGBT 051A000 0900V TO-247AC IRG4PF50WPBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000016997
Маркування: IRG4PF50W
Кількість приладів:
вільно
58
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Функціональне призначення | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | ||
| Проводимость | N-channel | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=4=C 3=E | ||
| Напруга Collector-Emitter | 900 | V | |
| Струм Collector max | 51 | A | @25*C |
| Струм Collector max | 28 | A | @100*C |
| Струм Collector імпульсний max | 204 | A | |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | 2,25 | V | typ @Vge=15V@Ic=28A |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | 2,74 | V | typ @Vge=15V@Ic=60A |
| Напруга GATE-Emitter | ±20 | V | |
| Енергія циклічно комутована | 186 | mJ | |
| Потужність розсіювання | 200 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 30 | |
| шт | 1 |
Корпус
15.87x20.82+16.25x5.31mm +++5.46mm
