APT75GN60LDQ3G транзистор
N-ch IGBT 0600V 155A TO-264 APT75GN60LDQ3G Microsemi
Виробник: Microsemi
Код товару: Т0000016013
Маркування: ???
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | Fast IGBT | ||
| Напруга Collector-Emitter | 600 | V | |
| Напруга GATE-Emitter | ±30 | V | |
| Струм Collector max | 155 | A | @25*C |
| Струм Collector max | 93 | A | @100*C |
| Струм Collector імпульсний max | 225 | A | @25*C |
| Енергія імпульсу комутована | 65 | mJ | @25*C |
| Потужність розсіювання | 536 | W | @25*C |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | 1.05...1.45...1.85 | V | @Vge15V@Ic=75A@+25*C |
| Напруга Collector-Emitter в відкритому стані | ...1.87... | V | @Vge15V@Ic=75A@+125*C |
| Час увімкнення | 47 | ns | @Vcc=400V@Vge=15V@Ic=75A@Rg=1 Ohm@+25*C |
| Час вимкнення | 385 | ns | @Vcc=400V@Vge=15V@Ic=75A@Rg=1 Ohm@+25*C |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 | 5,9 |
Корпус
20.5x26.5+19.5x5.3mm
