IRGP50B60PD1 транзистор
N-ch IGBT 0600V 075A TO-247AC IRGP50B60PD1-EP IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000005406

Маркування: IRGP50B60PD1-EP

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N-канал SMPS IGBT
Напруга Collector-Emitter 600 V
Струм Collector max 75 A @25*C
Струм Collector max 42 A @100*C
Струм Collector імпульсний max 150 A
Напруга GATE-Emitter ±20 V
Опір затвора внутрішній ... 1,2 ... Ohm 1MHz@Open Collector
Напруга Collector-Emitter в відкритому стані ... 2.0...2.2 V Ic=33A@Vge=15V
Напруга Collector-Emitter в відкритому стані ... 2.4...2.6 V Ic=50A@Vge=15V
Напруга Collector-Emitter в відкритому стані ... 2.6...2.9 V Ic=33A@Vge=15V@+125*C
Напруга Collector-Emitter в відкритому стані ... 3.2...3.6 V Ic=50A@Vge=15V@+125*C
Напруга порогова включення IGBT транзистора 3.0...4.0...5.0 V Ic=250mkA
Час увімкнення ...34...44 ns Ic=33A@Vcc=390V@V44ge=+15V@RG=3R3@L=210mkH@25*C
Час вимкнення ...130...140 ns Ic=33A@Vcc=390V@V44ge=+15V@RG=3R3@L=210mkH@25*C
Потужність розсіювання 370 W @25*C 150W@100*C
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 25
шт 1 6

Корпус

15.87x20.82+16.25x5.31mm +++5.46mm