STB9NK50ZT4 транзистор
N-ch 007A2 0500V D2Pak STB9NK50ZT4 STM
Виробник: STM
Код товару: Т0000013100
Маркування: B9NK50Z
Кількість приладів:
вільно
38
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S 4=D | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 500 | V | @Vgs=0 |
| Напруга GATE-DRAIN | 500 | V | @Rgs=20kOhm |
| Напруга GATE-SOURCE | ±30 | V | max |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,85 | Ohm | max |
| Струм DRAIN | 7,2 | A | @25*C |
| Струм DRAIN | 4,5 | A | @100*C |
| Струм DRAIN імпульсний | 28,8 | A | |
| Потужність розсіювання | 110 | W | @25*C |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 4,5 | V/ns | |
| Струм лавинний (Avalanche Current) | 7,2 | A | |
| Енергія імпульсу комутована | 190 | mJ | |
| > | Gate source ESD(HBM-C=100pF@R=1.5 KOhm) = 3500V | ||
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
D2pak 15.85x10.4x4.6mm
