IRF8910PBF транзистор
8910 N+N-ch 010A0 0020V SO-08 IRF8910PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000011236
Маркування: F8910
Кількість приладів:
вільно
77
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N+N-канал HEXFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-6=D2 7-8=D1 | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 20 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 13,4 | mOhm | @Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 10 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 8,3 | A | @70*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 82 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Потужність розсіювання | 2 | W | @25*C |
| Потужність розсіювання | 1,3 | W | @70*C |
| Енергія імпульсу комутована | 19 | mJ | |
| Час увімкнення | 6,2 | ns | @Vdd=10V@Idd=8A2@Vgs=4V5@Clamped Inductive Load |
| Час вимкнення | 9,7 | ns | @Vdd=10V@Idd=8A2@Vgs=4V5@Clamped Inductive Load |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm
