IRF8313PBF транзистор
8313 N+N-ch 009A7 0030V SO-08 IRF8313PBF IR

Виробник: IR

Код товару: Т0000012976

Маркування: F8313

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N+N-канал HEXFET
Функціональне призначення контактів 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-6=D2 7-8=D1
Напруга SOURCE-DRAIN 30 V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 15,5 mOhm @Vgs=10V
Струм DRAIN 9,7 A @25*C@Vgs=10V
Струм DRAIN 8,1 A @70*C@Vgs=10V
Струм DRAIN імпульсний 81 A
Напруга GATE-DRAIN ±20 V
Потужність розсіювання 2 W @25*C
Потужність розсіювання 1,3 W @70*C
Заряд GATE загальний 6 nC
Енергія імпульсу комутована 46 mJ
Струм лавинний (Avalanche Current) 8 A
Час увімкнення 8,3 ns @Vdd=15V@Idd=8A@Vgs=4V5@Rg=1.8 Ohm
Час вимкнення 8,5 ns @Vdd=15V@Idd=8A@Vgs=4V5@Rg=1.8 Ohm
Температура робоча -55...+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1

Корпус

SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm