IRF7380PBF транзистор
7380 N+N-ch 003A6 0080V SO-08 IRF7380PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000011021
Маркування: F7380
Кількість приладів:
вільно
38
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N+N-канал HEXFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-6=D2 7-8=D1 | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 80 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 73 | mOhm | @Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 3,6 | A | @25*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN | 2,9 | A | @70*C@Vgs=10V |
| Струм DRAIN імпульсний | 29 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 2,3 | V/ns | |
| Потужність розсіювання | 2 | W | @25*C |
| Потужність розсіювання | 1,3 | W | @70*C |
| Енергія імпульсу комутована | 75 | mJ | |
| Час увімкнення | 9 | ns | @Vdd=40V@Idd=2A2@Vgs=10V@Rg=24 Ohm |
| Час вимкнення | 41 | ns | @Vdd=40V@Idd=2A2@Vgs=10V@Rg=24 Ohm |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm
