IRF7309PBF транзистор
7309 N+P-ch 004A7 -003A5 0030V SO-08 IRF7309PBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000006720
Маркування: F7309
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N+P-канал MOSFET | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=S1 2=G1 3=S2 4=G2 5-9=D2 7-8=D1 | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 30 | V | (N-ch) |
| Напруга SOURCE-DRAIN | -30 | V | (P-ch) |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,05 | Ohm | (N-ch) |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,1 | Ohm | (P-ch) |
| Струм DRAIN | 4,7 | A | @25*C@Vgs=10V@10sec (N-ch) |
| Струм DRAIN | 4 | A | @25*C@Vgs=10V (N-ch) |
| Струм DRAIN | 3,2 | A | @70*C@Vgs=10V (N-ch) |
| Струм DRAIN імпульсний | 16 | A | |
| Струм DRAIN | -3,5 | A | @25*C@Vgs=10V@10sec (P-ch) |
| Струм DRAIN | -3 | A | @25*C@Vgs=10V (P-ch) |
| Струм DRAIN | -2,4 | A | @70*C@Vgs=10V (P-ch) |
| Струм DRAIN імпульсний | -12 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | 6,9 | V | (N-ch) |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | -6 | V | (P-ch) |
| Потужність розсіювання | 1,4 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
SO-08 4.98x3.99(6.2)x1.75mm ++1.27mm
