Виробник: NXP
Код товару: Т0000016987
Маркування: N30
Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
---|---|---|---|
Проводимость | NPN | ||
Функціональне призначення | 9 GHz wideband transistor | ||
Функціональне призначення контактів | 1=B 2=E 3=C | ||
Напруга Collector-Base | 20 | V | open emitter |
Напруга Collector-Emitter | 15 | V | @Rbe=0 |
Напруга Emitter-Base | 2,5 | V | |
Струм Collector max | 18 | mA | |
Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 60...120...250 | Ic=5mA@Vce=6V@T=25*C | |
Потужність розсіювання | 150 | mW | @<70*C |
Коефіцієнт шумів | 17 | dB | typ @Ic=5mA@Vce=6V@f=900MHz@T=25*C |
Коефіцієнт шумів | 10 | dB | typ @Ic=5mA@Vce=6V@f=2GHz@T=25*C |
Гранична частота | 9 | GHz | typ @Ic=5mA@Vce=6V@f=1GHz |
Ємність переходу Collector-Base | 0,4 | pF | @IE=ie=0@Vcb=6V@f=1MHz |
Ємність емітерного переходу | 0,4 | pF | @IC=ic=0@Veb=0V5@f=1MHz |
Температура робоча | -65...+150 | *C |
Найменування | K | Вага, г |
---|---|---|
min кратність пакування | 10 | |
упаковка (шт) | 3 000 | |
шт | 1 |