BFG425W транзистор
425w NPN 010V 0030mA 25 GHz SOT-343R BFG425W NXP
Виробник: NXP
Код товару: Т0000011409
Маркування: P5*
Кількість приладів:
вільно
37
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функціональне призначення | 25 GHz wideband transistor | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=E 2=B 3=E 4=K | ||
| Напруга Collector-Base | 10 | V | @open emitter |
| Напруга Collector-Emitter | 4,5 | V | @open base |
| Струм Collector max | 30 | mA | max |
| Потужність розсіювання | 135 | mW | @<135*C |
| Коеф. посилення у схемі включення з ОЕ | 50...80...120 | Ic=25mA@Vce=2V0@T=25*C | |
| Гранична частота | 25 | GHz | Ic=25mA@Vce=2V@2GHz@25*C |
| Коефіцієнт шумів | 0,8 | dB | typ @Ic=2mA@Vce=2V@F=900MHz@Гs=Гopt |
| Коефіцієнт шумів | 1,2 | dB | typ @Ic=2mA@Vce=2V@F=2GHz@Гs=Гopt |
| Ємність переходу Collector-Base | 300 | fF | Ie=ie=0@Vce=2V@1MHz |
| Ємність емітерного переходу | 575 | fF | Ic=ic=0@Veb=0V5@1MHz |
| Температура робоча | -65...+150 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 10 | |
| упаковка (шт) | 3 000 | |
| шт | 1 |
Корпус
2.2x1.35x1.1mm
