IRLR2905ZPBF транзистор
2905 N-ch 042A0 0055V DPak IRLR2905ZPBF IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000015656
Маркування: IRLR2905Z
Кількість приладів:
вільно
74
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | N-канал Power MOSFET | ||
| > | Logic-Level Gate Drive | ||
| Функціональне призначення контактів | 1=G 2=D 3=S 4=D | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | 55 | Vdc | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 13,5 | mOhm | |
| Струм DRAIN | 60 | A | @25*C (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 43 | A | @100*C (Silicon Limited) |
| Струм DRAIN | 42 | A | @25*C (Package Limited) |
| Струм DRAIN імпульсний | 240 | A | |
| Напруга GATE-SOURCE | ±16 | Vdc | |
| Енергія імпульсу комутована | 57 | mJ | (Thermally limited) |
| Час увімкнення | 14 | ns | @Vdd=28V@Id=36A@Vgs=5V@Rg=15 Ohm |
| Час вимкнення | 24 | ns | @Vdd=28V@Id=36A@Vgs=5V@Rg=15 Ohm |
| Потужність розсіювання | 110 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 1 | |
| шт | 1 |
Корпус
6.73x6.22(10.42)x2.38mm
