IRF5210S транзистор
5210 P-ch 040A0 0100V D2Pak IRF5210S IR
Виробник: IR
Код товару: Т0000017012
Маркування: F5210S
Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено
Параметри
| Найменування | Значення | Одиниці вимірювання | Режим вимірювання |
|---|---|---|---|
| Проводимость | P-канал MOSFET | ||
| Напруга SOURCE-DRAIN | -100 | V | |
| Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані | 0,06 | Ohm | |
| Струм DRAIN | -40 | A | @25*C@Vgs=-10V |
| Струм DRAIN | -29 | A | @100*C@Vgs=-10V |
| Струм DRAIN імпульсний | -140 | A | |
| Напруга GATE-DRAIN | ±20 | V | |
| Енергія імпульсу комутована | 780 | mJ | |
| Струм лавинний (Avalanche Current) | -21 | A | |
| Енергія циклічно комутована | 20 | mJ | |
| Час увімкнення | 17 | ns | typ @Vdd=-50V@Id=21A@Rg=2R5@Rg=2R4 |
| Час вимкнення | 79 | ns | typ @Vdd=-50V@Id=21A@Rg=2R5@Rg=2R4 |
| Напруга (збільшення) на захисному діоді | -5 | V/ns | |
| Потужність розсіювання | 200 | W | @25*C |
| Температура робоча | -55...+175 | *C |
Одиниці вимірювання
| Найменування | K | Вага, г |
|---|---|---|
| min кратність пакування | 1 | |
| упаковка (шт) | 50 | |
| шт | 1 |
Корпус
D2pak 15.88x10.67x4.83mm
