IPP110N20NA транзистор
110N20 N-ch 088A0 0200V TO-220AB IPP110N20NA Infineon

Виробник: Infineon

Код товару: Т0000016016

Маркування: ???

Кількість приладів:
вільно
0
очікується
0
резерв
0
замовлено

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N-канал MOSFET
Напруга SOURCE-DRAIN 200 V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 10,7 mOhm
Струм DRAIN 88 A @25*C@Vgs=10V
Струм DRAIN 63 A @100*C@Vgs=10V
Струм DRAIN імпульсний 352 A
Напруга GATE-DRAIN ±20 V
Потужність розсіювання 300 W @25*C
Напруга (збільшення) на захисному діоді 10 kV/mks
Час увімкнення 18 ns @Vdd=100V@Vgs=10V@Id=44A@Rg=1.6 Ohm
Час вимкнення 41 ns @Vdd=100V@Vgs=10V@Id=44A@Rg=1.6 Ohm
Температура робоча -55...+175 *C
> IEC climatic category; DIN IEC 68-1 - 55/175/56

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1

Корпус

TO220AB_IR AxBxh=10.54x15.24+14.09x4.69mm